삼성전자가 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품 양산을 시작했다.
지난 1월 40나노급 공정을 적용한 D램을 개발한 데 이어 최근 본격 양산에 들어갔다. 양산 제품은 50나노급 제품에 비해 생산성이 60% 향상됐다.
또 공정을 단순화하고 기간을 단축시키는 등 생산 효율을 높여 원가 경쟁력을 강화했다.
동작전압은 1.35V로 기존의 1.5V 제품보다 20% 정도 빠른 1.6Gbps의 데이터 처리 속도를 구현한다.
삼성전자는 DDR3 시장 확대를 위해 ▲서버용 16기가바이트 및 8기가바이트 모듈(RDIMM) ▲워크스테이션, 데스크톱 PC용 4기가바이트 모듈(UDIMM) ▲노트북 PC용 4기가바이트 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 공급할 계획이다.
한편 반도체 시장조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR3 D램은 비트 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 2012년 82%까지 늘어날 것으로 예상된다.
2기가비트 D램은 DDR3 D램 시장에서 올해 5%, 내년 18%, 2012년 82%로 성장할 전망이다.
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